Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 1.94 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IPI086N10N3G

Fabr. N.º:

IPI086N10N3 G

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Hoja de datos:

IPI086N10N3 G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IPI086N10N3 G

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 2.000

Fecha prevista: 05/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 8

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,94 €	1,94 €
	0,946 €	9,46 €
	0,83 €	83,00 €
	0,65 €	325,00 €
	0,559 €	559,00 €
	0,558 €	2.790,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-262-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Qg (carga de compuertas):	55 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	42 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	31 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns
Alias de parte #:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Peso unitario:	2,387 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IPI086N10N3 G Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET®

Los MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET® de International Rectifier emplean técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación, un diseño de dispositivo resistente y una temperatura de funcionamiento en uniones de 175 °C, por lo que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador un dispositivo sumamente eficiente y fiable para utilizarlo en una amplia variedad de aplicaciones.
Más información