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IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPD220N06L3GATM1

Fabr. N.º:

IPD220N06L3GATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET 60V

Hoja de datos:

IPD220N06L3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,01 €	1,01 €
	0,64 €	6,40 €
	0,424 €	42,40 €
	0,335 €	167,50 €
	0,304 €	304,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,261 €	652,50 €
	0,234 €	1.170,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	22 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Alias de parte #:	IPD220N06L3 G SP005559927

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.