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IPD048N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-PD048N06L3GATMA1
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-PD048N06L3GATMA1

Fabr. N.º:

IPD048N06L3GATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET 60V

Hoja de datos:

IPD048N06L3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,57 €	1,57 €
	1,02 €	10,20 €
	0,687 €	68,70 €
	0,544 €	272,00 €
	0,502 €	502,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,434 €	1.085,00 €
	0,426 €	2.130,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	90 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	115 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	125 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	XPD048N06
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	IPD048N06L3 G SP005559924

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.