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IPB95R310PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R310PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R310PFD7ATM
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPB95R310PFD7ATM

Fabr. N.º:

IPB95R310PFD7ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET LOW POWER_NEW

Hoja de datos:

IPB95R310PFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,98 €	2,98 €
	1,94 €	19,40 €
	1,37 €	137,00 €
	1,19 €	595,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,01 €	1.010,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	950 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	310 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	61 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Alias de parte #:	SP005547008

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Hoja de datos

IPB95R310PFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).