IPA95R310PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA95R310PFD7XKS
IPA95R310PFD7XKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET LOW POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 469

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,91 € 2,91 €
1,47 € 14,70 €
1,32 € 132,00 €
1,08 € 540,00 €
1,00 € 1.000,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
950 V
8.7 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 155 C
31 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 10 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13 ns
Alias de parte #: IPA95R310PFD7 SP005547007
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).