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IMYH200R050M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R050M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R050M1HXK
Price: 18.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMYH200R050M1HXK

Fabr. N.º:

IMYH200R050M1HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Hoja de datos:

IMYH200R050M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 720

Fecha prevista: 12/03/2026

720

Fecha prevista: 20/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	18,58 €	18,58 €
	13,69 €	136,90 €
	13,09 €	1.309,00 €
	12,68 €	6.086,40 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	48 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	64 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	82 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSIC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Alias de parte #:	IMYH200R050M1H SP005427372

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

IMYH200R050M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.