Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IMBG65R057M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R057M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R057M1HXTM
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IMBG65R057M1HXTM

Fabr. N.º:

IMBG65R057M1HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMBG65R057M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IMBG65R057M1HXTMA1

En existencias: 3.980

Existencias:: 3.980 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,85 €	6,85 €
	4,65 €	46,50 €
	3,59 €	359,00 €
	3,58 €	1.790,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	3,04 €	3.040,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	39 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	74 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.7 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	161 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de parte #:	IMBG65R057M1H SP005539175

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IMBG65R057M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.