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IGW15N120H3

Name: Infineon IGW15N120H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGW15N120H3
Price: 3.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGW15N120H3

Fabr. N.º:

IGW15N120H3

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBT IGBT PRODUCTS

Hoja de datos:

IGW15N120H3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.05 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	30 A
Pd (disipación de potencia):	217 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	HighSpeed 3
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Corriente de fuga puerta-emisor:	600 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de parte #:	SP000674430 IGW15N12H3XK IGW15N120H3FKSA1
Peso unitario:	38 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.