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IGC037S12S1XTMA1

Name: Infineon IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC037S12S1XTMA1
Price: 3.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGC037S12S1XTMA1

Fabr. N.º:

IGC037S12S1XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	3,77 €	3,77 €
	2,53 €	25,30 €
	1,87 €	187,00 €
	1,67 €	835,00 €
	1,52 €	1.520,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,34 €	6.700,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	71 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6.5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.9 V
Qg (carga de compuertas):	13 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias de parte #:	IGC037S12S1 SP006027453

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.