Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 2.8 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IGB070S10S1XTMA1

Fabr. N.º:

IGB070S10S1XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IGB070S10S1XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IGB070S10S1XTMA1

En existencias: 3.822

Existencias:: 3.822 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,80 €	2,80 €
	1,81 €	18,10 €
	1,33 €	133,00 €
	1,12 €	560,00 €
	1,01 €	1.010,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,878 €	4.390,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6.5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.9 V
Qg (carga de compuertas):	6.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	23 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias de parte #:	IGB070S10S1 SP006039129

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IGB070S10S1XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.