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HT8KF6HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KF6HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KF6HTB1
Price: 1.97 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-HT8KF6HTB1

Fabr. N.º:

HT8KF6HTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,97 €	1,97 €
	1,26 €	12,60 €
	0,858 €	85,80 €
	0,716 €	358,00 €
	0,687 €	687,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,584 €	1.752,00 €
	0,578 €	5.202,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	214 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	6.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.1 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.