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HAS350M12BM3

Name: Wolfspeed HAS350M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS350M12BM3
Price: 690.07 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-HAS350M12BM3

Fabr. N.º:

HAS350M12BM3

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

HAS350M12BM3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	690,07 €	690,07 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Half Bridge Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vr - Tensión inversa:	800 V
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 19 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	Module
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Half Bridge
Id: corriente de drenaje continuo:	417 A
Pd (disipación de potencia):	1.293 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.2 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V

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Hoja de datos

HAS350M12BM3 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.