GP2T040A120U

SemiQ
148-GP2T040A120U
GP2T040A120U

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L

Modelo ECAD:
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6,19 € 61,90 €
6,05 € 726,00 €
4,78 € 2.437,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
37 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
Marca: SemiQ
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia delantera: mín.: 16 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 14 ns
Serie: GP2T040A120
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15 ns
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.