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GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 10.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GP2T040A120J

Fabr. N.º:

GP2T040A120J

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

Hoja de datos:

GP2T040A120J Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	38 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	112 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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Hoja de datos

GP2T040A120J Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.