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GP2T040A120H

Name: SemiQ GP2T040A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120H
Price: 9.99 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GP2T040A120H

Fabr. N.º:

GP2T040A120H

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L

Hoja de datos:

GP2T040A120H Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	9,99 €	9,99 €
	8,26 €	82,60 €
	5,06 €	607,20 €
	5,01 €	2.555,10 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	118 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	322 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	GP2T040A120
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

GP2T040A120H Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.