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GE08MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE08MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE08MPS06E-TR
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

905-GE08MPS06E-TR

Fabr. N.º:

GE08MPS06E-TR

Fabr.:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	2,06 €	2,06 €
	1,81 €	18,10 €
	1,71 €	42,75 €
	1,58 €	158,00 €
	1,50 €	375,00 €
	1,44 €	720,00 €
	1,38 €	1.380,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,31 €	3.275,00 €
	1,28 €	6.400,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.25 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	56 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Pd (disipación de potencia):	132 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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GE08MPS06E-TR Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.