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GCMX080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080C120S1-E1
Price: 18.37 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GCMX080C120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMX080C120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GCMX080C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	18,37 €	18,37 €
	13,21 €	132,10 €
	12,08 €	1.449,60 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	118 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	26 ns
Altura:	12.19 mm
Longitud:	38.1 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	MOSFET Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Vf - Tensión delantera:	3.7 V
Anchura:	25.3 mm

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GCMX080C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Módulos de potencia MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.