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GCMX080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080B120S1-E1
Price: 17.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GCMX080B120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMX080B120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

Hoja de datos:

GCMX080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	17,46 €	17,46 €
	12,54 €	125,40 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	77 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	142 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
If - Corriente delantera:	10 A
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	High Speed Switching
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Vf - Tensión delantera:	3.8 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

GCMX080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.