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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 149.67 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GCMX005A120S3B1N

Fabr. N.º:

GCMX005A120S3B1-N

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GCMX005A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	149,67 €	2.245,05 €
105	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	S3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	424 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.531 kW
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
Tiempo de caída:	24 ns
Altura:	30.9 mm
Longitud:	106.4 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Half Bridge Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	114 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	65 ns
Vf - Tensión delantera:	4 V
Anchura:	61.4 mm

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Hoja de datos

GCMX005A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V

Los módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V de SemiQ ofrecen pérdidas de conmutación bajas, una resistencia térmica de unión a carcasa baja y un montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas han sido probadas rigurosamente para soportar tensiones superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es la robusta tensión de drenaje a fuente de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan con una temperatura de unión de 175°C y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de baterías, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores de CC a CC de alta tensión.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).