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Módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V

Los módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V de SemiQ ofrecen pérdidas de conmutación bajas, una resistencia térmica de unión a carcasa baja y un montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas han sido probadas rigurosamente para soportar tensiones superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es la robusta tensión de drenaje a fuente de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan con una temperatura de unión de 175°C y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de baterías, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores de CC a CC de alta tensión.