GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 32.68 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

148-GCMS020B120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMS020B120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Hoja de datos:

GCMS020B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SemiQ GCMS020B120S1-E1

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	32,68 €	32,68 €
	24,31 €	243,10 €
	22,70 €	2.724,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	Silicon Carbide (SiC) Module
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.49 V
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 10 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	113 A
Pd (disipación de potencia):	395 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GCMS020B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.