Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 56.29 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

726-FP35R12N2T7BPSA2

Fabr. N.º:

FP35R12N2T7BPSA2

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Hoja de datos:

FP35R12N2T7BPSA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2

En existencias: 15

Existencias:: 15 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	56,29 €	56,29 €
	48,84 €	488,40 €
	44,34 €	4.655,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	3-Phase Inverter
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Corriente continua del colector a 25 C:	35 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	15
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de parte #:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FP35R12N2T7BPSA2 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.

1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.