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FGD5T120SH

Name: onsemi FGD5T120SH
Brand: onsemi
SKU: 512-FGD5T120SH
Price: 2.05 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FGD5T120SH

Fabr. N.º:

FGD5T120SH

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

Hoja de datos:

FGD5T120SH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,05 €	2,05 €
	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,717 €	358,50 €
	0,66 €	660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,655 €	1.637,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.9 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 25 V, 25 V
Corriente continua del colector a 25 C:	10 A
Pd (disipación de potencia):	69 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	FGD5T120SH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	260,370 mg

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Hoja de datos

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3, TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.