FFSP1065B

onsemi
863-FFSP1065B
FFSP1065B

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE 650V 10A

Hoja de datos:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP1065B
Tube
Marca: onsemi
Pd (disipación de potencia): 75 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
Peso unitario: 3,698 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

En existencias: 825

Existencias:
825 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,63 € 3,63 €
1,85 € 18,50 €
1,51 € 151,00 €
1,35 € 675,00 €
1,19 € 1.190,00 €
1,18 € 5.900,00 €

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