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FFSH4065BDN-F085

Name: onsemi FFSH4065BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH4065BDN-F085
Price: 11.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FFSH4065BDN-F085

Fabr. N.º:

FFSH4065BDN-F085

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V

Hoja de datos:

FFSH4065BDN-F085 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente delantera:	40 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.38 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	84 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSH4065BDN-F085
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	127 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

FFSH4065BDN-F085 Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.