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FFSD0865B-F085

Name: onsemi FFSD0865B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD0865B-F085
Price: 3.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FFSD0865B-F085

Fabr. N.º:

FFSD0865B-F085

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Hoja de datos:

FFSD0865B-F085 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,21 €	3,21 €
	2,09 €	20,90 €
	1,47 €	147,00 €
	1,30 €	650,00 €
	1,19 €	1.190,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,10 €	2.750,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.39 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	42 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSD0865B-F085
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	91 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

FFSD0865B-F085 Hoja de datos (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.