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FFSB0665B-F085

Name: onsemi FFSB0665B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB0665B-F085
Price: 3.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FFSB0665B-F085

Fabr. N.º:

FFSB0665B-F085

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5

Hoja de datos:

FFSB0665B-F085 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,67 €	3,67 €
	2,46 €	24,60 €
	1,74 €	174,00 €
	1,49 €	745,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	1,49 €	1.192,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	6 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.38 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	45 A
Ir - Corriente inversa:	500 nA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSB0665B-F085
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	61 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso unitario:	2,240 g

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Hoja de datos

FFSB0665B-F085 Hoja de datos

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSx0665B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0665B-F085 650V, 6A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0665B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSx0665B-F085 650V, 6A SiC Schottky Diodes are available in a D²PAK-3 package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.