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FDMS86300DC

Name: onsemi FDMS86300DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86300DC
Price: 3.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FDMS86300DC

Fabr. N.º:

FDMS86300DC

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86300DC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,29 €	3,29 €
	2,14 €	21,40 €
	1,68 €	168,00 €
	1,40 €	700,00 €
	1,20 €	1.200,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,14 €	3.420,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DualCool-56-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.4 V
Qg (carga de compuertas):	72 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Transconductancia delantera: mín.:	60 s
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86300DC
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns
Peso unitario:	90 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

MOSFET PowerTrench®

Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
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Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
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