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FDMS86181

Name: onsemi FDMS86181
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86181
Price: 2.7 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

512-FDMS86181

Fabr. N.º:

FDMS86181

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86181 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 8.992
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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,70 €	2,70 €
	1,57 €	15,70 €
	1,25 €	125,00 €
	1,16 €	580,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,995 €	2.985,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Power-56-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	124 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	116 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	FDMS86181
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	90 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDS_ON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.