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FDME1024NZT

Name: onsemi FDME1024NZT
Brand: onsemi
SKU: 512-FDME1024NZT
Price: 0.91 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

512-FDME1024NZT

Fabr. N.º:

FDME1024NZT

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench

Hoja de datos:

FDME1024NZT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 17.000

Fecha prevista: 12/03/2026

125.000

45.000

Fecha prevista: 27/03/2026

80.000

Fecha prevista: 10/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 30

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,912 €	0,91 €
	0,568 €	5,68 €
	0,372 €	37,20 €
	0,304 €	152,00 €
	0,274 €	274,00 €
	0,25 €	625,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,212 €	1.060,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	UMLP-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	55 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	700 mV
Qg (carga de compuertas):	3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	1.7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2 ns
Serie:	FDME1024NZT
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.5 ns
Peso unitario:	25,200 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

FDME1024NZT Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542310399
ECCN:: EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.