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DMT10H072LFDFQ-7

Name: Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT10H072LFDFQ-7
Price: 0.7 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

621-DMT10H072LFDFQ-7

Fabr. N.º:

DMT10H072LFDFQ-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Hoja de datos:

DMT10H072LFDFQ-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 7.895

Fecha prevista: 16/03/2026

6.000

Fecha prevista: 17/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,705 €	0,71 €
	0,442 €	4,42 €
	0,286 €	28,60 €
	0,219 €	109,50 €
	0,198 €	198,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,162 €	486,00 €
	0,151 €	906,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	U-DFN2020-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	62 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	2.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.1 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3 ns
Peso unitario:	65 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMT10H072LFDFQ-7 Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive MOSFETs

Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate the product is Automotive grade. This means the Diodes Incorporated device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the Production Part Approval Process (PPAP) and TS16949-approved manufacturing sites.