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DMN53D0U-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0U-7
Price: 0.11 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

621-DMN53D0U-7

Fabr. N.º:

DMN53D0U-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

Hoja de datos:

DMN53D0U-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 5.650

Fecha prevista: 20/07/2026

3.000

Fecha prevista: 29/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,112 €	0,11 €
	0,077 €	0,77 €
	0,063 €	6,30 €
	0,054 €	54,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,036 €	108,00 €
	0,034 €	204,00 €
	0,031 €	279,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	300 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	600 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	520 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.8 ns
Serie:	DMN53
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.1 ns
Peso unitario:	8 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN53D0U-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.