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DMN53D0LW-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LW-13
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN53D0LW-13

Fabr. N.º:

DMN53D0LW-13

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

Hoja de datos:

DMN53D0LW-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,241 €	0,24 €
	0,164 €	1,64 €
	0,104 €	10,40 €
	0,065 €	32,50 €
	0,051 €	51,00 €
	0,045 €	112,50 €
	0,039 €	195,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,029 €	290,00 €
	0,028 €	560,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	360 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	1.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	420 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.7 ns
Peso unitario:	6 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN53D0LW-13 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.