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DMN53D0LDW-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LDW-7
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN53D0LDW-7

Fabr. N.º:

DMN53D0LDW-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Hoja de datos:

DMN53D0LDW-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 51.000

Fecha prevista: 17/04/2026

27.000

Fecha prevista: 15/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,249 €	0,25 €
	0,151 €	1,51 €
	0,095 €	9,50 €
	0,07 €	35,00 €
	0,058 €	58,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,049 €	147,00 €
	0,042 €	252,00 €
	0,037 €	333,00 €
	0,034 €	816,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

DMN53D0LDW-13

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,26 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	360 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.6 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	600 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	310 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	11 ns, 11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns, 2.5 ns
Serie:	DMN53
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns, 19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.7 ns, 2.7 ns
Peso unitario:	7,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN53D0LDW-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.