DMN53D0L-7

Diodes Incorporated
621-DMN53D0L-7
DMN53D0L-7

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 1.493

Existencias:
1.493
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
63.000
Fecha prevista: 19/06/2026
156.000
66.000
Fecha prevista: 24/06/2026
90.000
Fecha prevista: 29/06/2026
Plazo de producción de fábrica:
24
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,241 € 0,24 €
0,146 € 1,46 €
0,091 € 9,10 €
0,067 € 33,50 €
0,059 € 59,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,045 € 135,00 €
0,04 € 240,00 €
0,035 € 315,00 €
0,033 € 792,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
0,29 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 2.5 ns
Serie: DMN53
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 18.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 2.7 ns
Peso unitario: 8 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.