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DMG1012UW-7

Name: Diodes Incorporated DMG1012UW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1012UW-7
Price: 0.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMG1012UW-7

Fabr. N.º:

DMG1012UW-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323

Hoja de datos:

DMG1012UW-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 54.000

Fecha prevista: 17/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,224 €	0,22 €
	0,115 €	1,15 €
	0,07 €	7,00 €
	0,058 €	29,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,038 €	114,00 €
	0,035 €	210,00 €
	0,033 €	297,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	500 mV
Qg (carga de compuertas):	736.6 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	290 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.4 ns
Serie:	DMG1012
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.1 ns
Peso unitario:	6 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMG1012UW-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.