DF2B5M4ASL,L3F

Toshiba
757-DF2B5M4ASLL3F
DF2B5M4ASL,L3F

Fabr.:

Descripción:
Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Bi-Dir ESD 2A; 3.6V SOD-962 (SL2)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 12.260

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
0,198 € 0,20 €
0,13 € 1,30 €
0,058 € 5,80 €
0,054 € 27,00 €
0,05 € 50,00 €
0,049 € 245,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
0,046 € 460,00 €
0,042 € 840,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:  
Bidirectional
1 Channel
3.6 V
SMD/SMT
20 V
5 V
SOD-962-2
2 A
30 W
0.15 pF
16 kV
16 kV
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Voltaje operativo de suministro: 3.6 V
Producto: ESD Suppressors
Cantidad del paquete de fábrica: 10000
Subcategoría: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Peso unitario: 0,200 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.

DF2Bx ESD Protection Diodes

Toshiba DF2Bx ESD Protection Diodes are designed to protect semiconductor devices used in mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These diodes utilize snapback characteristics to provide low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2Bx ESD protection diodes are suitable for use with a 3.3V/5V signal line. These didoes come in a compact package that is suitable for use in high-density board layouts such as on mobile devices. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes

Toshiba DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes protect semiconductor devices like mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These ESD protection diodes utilize snapback characteristics, providing low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2BxM4ASL diodes optimum the high-speed signal application for low capacitance performance. These ESD protection diodes are stored at -55°C to 150°C. The Toshiba DF2BxM4ASL diodes function at 150°C junction temperature, 30W peak pulse power,  and 2A peak pulse current. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

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