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CG2H40010F

Name: MACOM CG2H40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40010F
Price: 86.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CG2H40010F

Fabr. N.º:

CG2H40010F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

Hoja de datos:

CG2H40010F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	86,78 €	86,78 €
	67,08 €	670,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440166
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.5 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2.7 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	16.5 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Energía de salida:	10 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V
Peso unitario:	4,200 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.