CDFG6558N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDFG6558NTR13PBF
CDFG6558N TR13 PBFREE

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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6,48 € 64,80 €
5,41 € 541,00 €
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4,59 € 11.475,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Central Semiconductor
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Depletion
Marca: Central Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 4 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Field Effect Transistors
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de establecimiento: 4 ns
Serie: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: Power FET
Tiempo típico de retraso de apagado: 5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 3 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.