Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

C4MS036120K

Name: Wolfspeed C4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS036120K
Price: 10.03 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

941-C4MS036120K

Fabr. N.º:

C4MS036120K

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

C4MS036120K Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Wolfspeed C4MS036120K

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,03 €	10,03 €
	7,84 €	78,40 €
	6,54 €	784,80 €
	5,82 €	2.968,20 €
	4,95 €	5.049,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	36 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	88 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	272 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	20 S
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

C4MS036120K Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.