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C4MS025120U2-TR

Name: Wolfspeed C4MS025120U2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS025120U2-TR
Price: 5.47 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

941-C4MS025120U2-TR

Fabr. N.º:

C4MS025120U2-TR

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

C4MS025120U2-TR Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSC (U2)-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	94 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	25 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	125 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	455 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	28 S
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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Hoja de datos

C4MS025120U2-TR Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.