Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

C3M0040120K1

Name: Wolfspeed C3M0040120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0040120K1
Price: 10.43 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

941-C3M0040120K1

Fabr. N.º:

C3M0040120K1

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

C3M0040120K1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Wolfspeed C3M0040120K1

En existencias: 153

Existencias:: 153 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,43 €	10,43 €
	7,56 €	75,60 €
	7,55 €	906,00 €
	5,30 €	2.703,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	70 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 19 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.8 V
Qg (carga de compuertas):	94 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	242 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	20 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

C3M0040120K1 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de SiC de 1200 V y perfil bajo TO-247-4

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y perfil bajo TO-247-4 de Wolfspeed ofrecen conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas y alta tensión de bloqueo con un nivel de resistencia de activación bajo. Estos MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y los requisitos de enfriamiento, y minimizan las resonancias de compuerta. Los MOSFET de potencia de SiC de 1200 V incorporan un diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Q_rr). Estos MOSFET de potencia aumentan la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema. Los MOSFET de potencia de SiC de 1200 V vienen en paquetes optimizados con pines de fuente de controlador independientes y están disponibles en un cuerpo de paquete TO-247-4 de perfil más bajo. Estos MOSFET de potencia están libres de halógenos y cumplen con la normativa RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen control de motores, cargadores de baterías de vehículos eléctricos, convertidores CC/CC de alta tensión, energía solar/SAE, SAI y PSU empresarial.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed establecen el estándar de rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed ofrecen una conmutación rápida y una pérdida de conmutación baja, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el coste total de la lista de materiales en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT.