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C3M0032120D

Name: Wolfspeed C3M0032120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120D
Price: 11.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-C3M0032120D

Fabr. N.º:

C3M0032120D

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 15 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	114 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	283 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	19 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	39 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	107 ns
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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