Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

BV1HB008EFJ-CE2

Name: ROHM Semiconductor BV1HB008EFJ-CE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BV1HB008EFJ-CE2
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-BV1HB008EFJ-CE2

Fabr. N.º:

BV1HB008EFJ-CE2

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Automotive Intelligent Power Device Single Channel 9mohm High Side Switch : The BV1HB008EFJ-C single channel 9mohm Intelligent High Side Power Device integrates an Overcurrent load protection, a dual Temperature Shutdown mechanism which limits the in

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

BV1HB008EFJ-CE2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor BV1HB008EFJ-CE2

En existencias: 2.206

Existencias:: 2.206 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,55 €	2,55 €
	1,91 €	19,10 €
	1,75 €	43,75 €
	1,57 €	157,00 €
	1,49 €	372,50 €
	1,44 €	720,00 €
	1,39 €	1.390,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,28 €	3.200,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación
Tipo:	High Side Switch
Número de salidas:	1 Output
Resistencia de encendido (máx.):	22 mOhms
Tiempo de encendido (máx.):	150 us
Tiempo de apagado (máx.):	100 us
Voltaje operativo de suministro:	6 V to 28 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HTSOP-J8
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Producto:	Switches
Tipo de producto:	Power Switch ICs - Power Distribution
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Switch ICs
Tensión del suministro - Máx:	28 V
Tensión del suministro - Mín:	6 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

BV1HB008EFJ-CE2 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

BV1HBx Automotive High Side Switches

ROHM Semiconductor BV1HBx Automotive High Side Switches integrate an overcurrent load protection and a dual temperature shutdown mechanism. This limits the internal thermal transients and reduces the mechanical stress of the ICs. The BV1HBx switches feature 4V low operating voltage (cranking) and a smart active-clamp circuit to dissipate the magnetic energy while switching off inductive loads. These switches also feature embedded current sense and diagnostic features. These provide real-time load current information and open or short circuit feedback in both the ON and OFF state. A 3V and 5V CMOS-compatible input pin offers direct microcontroller connection without special interfaces or level shifters. The BV1HBx high-side switches operate within the -40°C to 150°C temperature range. Typical applications include driver for resistive, inductive, and capacitive loads, MOSFET, relay, and fuse replacement, and intelligent power devices.