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BSM180D12P3C007

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P3C007
Price: 503.79 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-BSM180D12P3C007

Fabr. N.º:

BSM180D12P3C007

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Hoja de datos:

BSM180D12P3C007 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	503,79 €	503,79 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	Module
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	180 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	880 W
Serie:	BSMx
Empaquetado:	Tray
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	50 ns
Altura:	21.1 mm
Longitud:	122 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	70 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	12
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	165 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	50 ns
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Anchura:	45.6 mm
Peso unitario:	302,171 g

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Hoja de datos

BSM180D12P3C007 Hoja de datos (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8504901900
USHTS:: 8541590080
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.