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BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 536.64 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-BSM180C12P2E202

Fabr. N.º:

BSM180C12P2E202

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Hoja de datos:

BSM180C12P2E202 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	Module
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	204 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.36 kW
Serie:	BSMx
Empaquetado:	Tray
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Altura:	15.4 mm
If - Corriente delantera:	180 A
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	36 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	139 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	49 ns
Vf - Tensión delantera:	1.6 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Anchura:	62 mm

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.