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BFU550R

Name: NXP BFU550R
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU550R
Price: 0.86 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-BFU550R

Fabr. N.º:

BFU550R

Fabr.:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

BFU550R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,532 €	5,32 €
	0,347 €	34,70 €
	0,267 €	133,50 €
	0,246 €	246,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,204 €	612,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores bipolares RF
RoHS:
Serie:	BFU550
Tipo de transistor:	Bipolar Wideband
Tecnología:	Si
Polaridad de transistor:	NPN
Frecuencia de operación:	11 GHz
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	60
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	12 V
Voltaje emisor-base VEBO:	2 V
Corriente continua del colector:	50 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-143B-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Corriente del colector DC máxima:	80 mA
Energía de salida:	13.5 dBm
Pd (disipación de potencia):	450 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934067704215
Peso unitario:	9 mg

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Hoja de datos

BFU550R Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistores RF de silicio y banda ancha NPN BFU5x

Los transistores RF de silicio y banda ancha NPN BFU5x de NXP Semiconductor son transistores RF de ruptura alta, poco ruido y con calificación AEC-Q101 aptos para aplicaciones de señal corta a potencia media de hasta 2 GHz. Con un rendimiento excepcional, los transistores RF BFU5x generan 20 dB de ganancia máxima y un ruido de 0,7 dB a 900 MHz. Estos dispositivos permiten una mejor recepción de las señales a baja y media potencia por lo que los receptores RF pueden funcionar de forma más adecuada en entornos ruidosos. Cuando se utilizan como amplificadores u osciladores (poco ruido), los transistores RF BFU5x admiten tensiones de alimentación y de ruptura altas, lo que permite que estos dispositivos sean muy adecuados para aplicaciones de automoción, comunicación e industriales. La familia de productos está disponible en una amplia gama de paquetes estándar de la industria, entre los que se incluyen los SOT323, SOT23 y SOT143.
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