ACPL-P349-000E

Broadcom / Avago
630-ACPL-P349-000E
ACPL-P349-000E

Fabr.:

Descripción:
Optoacopladores de salida lógica Gate Drv Optocoupler LF

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,08 € 4,08 €
3,04 € 30,40 €
2,40 € 240,00 €
2,13 € 1.065,00 €
1,94 € 1.940,00 €
25.000 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Broadcom Limited
Categoría de producto: Optoacopladores de salida lógica
RoHS:  
8 ns
8 ns
SMD/SMT
SO-6 Stretched
Integrated Photo IC
1 Channel
3750 Vrms
2.5 A
25 mA
1.55 V
5 V
550 mW
- 40 C
+ 105 C
ACPL
Bulk
Marca: Broadcom / Avago
Tipo de producto: Logic Output Optocouplers
Retardo de propagación (máx.): 110 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Optocouplers
Tipo: Gate Drive Optocoupler
Peso unitario: 1,556 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541490000
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490020
USHTS:
8541498000
JPHTS:
854149000
KRHTS:
8541409029
MXHTS:
8541400401
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

Optocouplers

Broadcom Optocouplers provide a reliable isolation solution in applications such as variable-speed drives, electric vehicles, induction cookers, and solar inverters. The devices are the preferred solution for insulation and isolation. The Broadcom Optocouplers feature isolation amplifier (iso-amps) products with higher performance and smaller packages.

ACPL-x34x SiC/GaN MOSFETs and IGBT Optocouplers

Broadcom ACPL-x34x SiC/GaN MOSFETs and IGBT Gate Drive Optocouplers contain an AlGaAs LED, which is optically coupled to an integrated circuit with a power output stage. These optocouplers are ideally suited for driving Silicon Carbide/Gallium Nitride (SiC/GaN) MOSFETs and IGBTs used in power conversion applications. The high operating voltage range of the output stage provides the drive voltages required by gate-controlled devices. The voltage and high peak output current supplied by this optocoupler make it ideally suited for direct driving SiC/GaN MOSFET and IGBT.

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