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C4D30120D

Name: Wolfspeed C4D30120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4D30120D
Price: 17.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-C4D30120D

Fabr. N.º:

C4D30120D

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x15A

Hoja de datos:

C4D30120D Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual
If - Corriente delantera:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.8 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	130 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Pd (disipación de potencia):	220 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	38 g

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541400103
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, industrial power supplies, and consumer electronics. Compared to silicon-based solutions, Wolfspeed Silicon Carbide technology enables increased system power density, higher switching frequencies, smaller designs, cooler components, reduced size of components like inductors, capacitors, filters, and transformers, and overall cost benefits. Wolfspeed SiC diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design, which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes. Wolfspeed's portfolio of SiC Schottky diodes come in various packages to meet diverse application requirements.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.