Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

C4D10120D

Name: Wolfspeed C4D10120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4D10120D
Price: 8.03 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

941-C4D10120D

Fabr. N.º:

C4D10120D

Fabr.:

Wolfspeed

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A

Hoja de datos:

C4D10120D Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Wolfspeed C4D10120D

En existencias: 2.776

Existencias:: 2.776

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 46
Plazo de producción de fábrica:: 12

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,03 €	8,03 €
	4,74 €	47,40 €
	4,15 €	498,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Configuración:	Dual
If - Corriente delantera:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.8 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	46 A
Ir - Corriente inversa:	150 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Pd (disipación de potencia):	187 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	38 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

C4D10120D Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541400103
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, industrial power supplies, and consumer electronics. Compared to silicon-based solutions, Wolfspeed Silicon Carbide technology enables increased system power density, higher switching frequencies, smaller designs, cooler components, reduced size of components like inductors, capacitors, filters, and transformers, and overall cost benefits. Wolfspeed SiC diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design, which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes. Wolfspeed's portfolio of SiC Schottky diodes come in various packages to meet diverse application requirements.

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.